LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Mallard, R, Wilshaw, P, Mason, N, Walker, P, Booker, G
Aineistotyyppi:	Journal article
Julkaistu:	1989

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD Tekijä Mallard, R, Wilshaw, P, Mason, N, Walker, P, Booker, G

Julkaistu 1989

Conference item