LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD

Ցույց տալ այլ տարբերակներ (1)
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Mallard, R, Wilshaw, P, Mason, N, Walker, P, Booker, G
Ձևաչափ: Journal article
Հրապարակվել է: 1989
Ցույց տալ բոլոր տարբերակները (2)

Նմանատիպ նյութեր