Joan edukira
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Hizkuntza
Eremu guztiak
Izenburua
Egilea
Gaia
Sailkapena
ISBN/ISSN
Etiketa
Bilatu
Aurreratua
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED...
Erreferentzia bihurtu
SMS
Bidali
Imprimir
Erregistroa esportatu
Nora RefWorks
Nora EndNoteWeb
Nora EndNote
Permanent link
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Show other versions (1)
Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak:
Mallard, R
,
Wilshaw, P
,
Mason, N
,
Walker, P
,
Booker, G
Formatua:
Journal article
Argitaratua:
1989
Aleari buruzko argibideak
Deskribapena
Other Versions (1)
Antzeko izenburuak
MARC erregistroa
Antzeko izenburuak
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
nork: Mallard, R, et al.
Argitaratua: (1989)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
nork: Chidley, E, et al.
Argitaratua: (1989)
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
nork: Haywood, S, et al.
Argitaratua: (1989)
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
nork: Warburton, R, et al.
Argitaratua: (1991)
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
nork: Chidley, E, et al.
Argitaratua: (1991)