On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures

The interaction between oxygen atoms and dislocations in Czochralski-grown silicon has been studied experimentally. Measurements concerning the locking of dislocations by oxygen atoms have been carried out in the temperature range 450-850degreesC for different annealing times Using samples with low...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Médium:	Conference item
Vydáno:	2002

Podobné jednotky

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2002)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2004)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2002)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2000)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2007)

Impurity locking of dislocations in silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2004)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2003)

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
Autor: Giannattasio, A
Vydáno: (2004)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
Autor: Zeng, Z, a další
Vydáno: (2011)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2008)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Adjustment of oxygen transport phenomena for Czochralski silicon crystal growth
Autor: Amir Reza Ansari Dezfoli, a další
Vydáno: (2024-04-01)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
Autor: Fraser, K, a další
Vydáno: (2007)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Oxygen diffusion in dislocations and grain boundaries in magnesium oxide
Autor: Dolhert, Leonard E
Vydáno: (2012)

Reduced microwave attenuation in coplanar waveguides using deep level impurity compensated Czochralski-silicon substrates
Autor: Abuelgasim, A, a další
Vydáno: (2011)

Simulation of oxygen and carbon impurity transport during magnetically controlled Czochralski silicon growth
Autor: Wenyong Zhang, a další
Vydáno: (2025-01-01)

Semi-insulating Czochralski-silicon for radio frequency applications
Autor: Mallik, K, a další
Vydáno: (2006)