TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Kressrogers, E, Nicholas, R, Englert, T, Pepper, M
Materyal Türü:	Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:	1980

Benzer Materyaller

CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
Yazar:: Kressrogers, E, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1982)

THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Yazar:: Kressrogers, E, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1983)

ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1980)

TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1982)

Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Yazar:: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

On Backscattering and Mobility in Nanoscale Silicon MOSFETs
Yazar:: Jeong, Changwook, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET /
Yazar:: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Electro-Thermal simulation study of MOSFET modeling in Silicon and Silicon carbide
Yazar:: B Mourched, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-12-01)

Dual nanowire silicon MOSFET with silicon bridge and TaN gate
Yazar:: Theng, A. L., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

Physics of high-frequency operation in silicon MOSFETs
Yazar:: Chang, Richard T. (Richard Tzewei), 1975-
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Extreme-submicrometer silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
Yazar:: Su, Lisa T. (Lisa Tzu-Feng)
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Deep submicron silicon on insulator (SOI) MOSFET /
Yazar:: Vijay, K. Arora, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET
Yazar:: Catherine Langpoklakpam, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022-02-01)

High frequency noise in deep-submicrometer silicon mosfets
Yazar:: Su, Hao
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET [electronic resource] /
Yazar:: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Characterization of double gate silicon on insulator (SOI) MOSFET /
Yazar:: Zaharah Johari, 1985-, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)

A semi-empirical model for strained silicon mosfet /
Yazar:: Mohammad 'Afif Kasno, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet /
Yazar:: 250864 Aiman Abdul Rashid, ve diğerleri

High-Performance WS2 MOSFETs with Bilayer WS2 Contacts
Yazar:: Lun Jin, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-07-01)

Nano-scale ohmic contacts for III-V MOSFETs
Yazar:: Lu, Wenjie
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1979)

Impact of Temperature on Neutron Irradiation Failure-in-Time of Silicon and Silicon Carbide Power MOSFETs
Yazar:: Fabio Principato, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-05-01)

Design, process, and reliability considerations in silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
Yazar:: Sherony, Melanie J. (Melanie Jane)
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Silicon-Germanium interdiffusion and its impacts on enhanced mobility MOSFETs
Yazar:: Xia, Guangrui, 1976-
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Compact modeling of gate-all-around silicon nanowire MOSFETs
Yazar:: Lin Shihuan
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /
Yazar:: 521413 Lau, Ngei Ong, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
Yazar:: Wong, Yah Jin, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

The effect of different ge concentration on the characteristics of strain silicon MOSFET /
Yazar:: Razali Ismail, 1960-, author, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Characterization of silicon - on - insulator (SOI) mosfet using TCAD tools /
Yazar:: 247481 Yeoh, Chun Jern, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Comprehensive Analysis of Short circuit Protections for Silicon-Carbide MOSFET
Yazar:: Zhao Jialin
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-01-01)

Investigation into the Effect of Varied Functional Biointerfaces on Silicon Nanowire MOSFETs
Yazar:: Shu-Ping Lin, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012-12-01)

Different JFET Designs on Conduction and Short-Circuit Capability for 3.3 kV Planar-Gate Silicon Carbide MOSFETs
Yazar:: Ximing Chen, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2020-01-01)

A two-dimensional analytical model for short channel junctionless double-gate MOSFETs
Yazar:: Chunsheng Jiang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-05-01)

Process integration of erbium-doped silicon light-emitting diodes and MOSFETs
Yazar:: Zheng, Bo
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)

Schottky barrier engineering on dopant-segregated schottky silicon nanowire MOSFETs
Yazar:: Chin, Yoke King
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Modeling of deep submicron silicon on insulator (SOI) mosfet [electronic resource] /
Yazar:: 250864 Aiman Abdul Rashid, ve diğerleri

A semi-empirical model for strained silicon mosfet [electronic resource] /
Yazar:: Mohammad 'Afif Kasno, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Numerical study of carrier velocity for P-type strained silicon MOSFET /
Yazar:: Yau, Wei Heong, 1983-, author, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Wireless Control of Active Gate Drivers for Silicon Carbide Power MOSFETs
Yazar:: Daniel A. Philipps, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-01-01)

An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET
Yazar:: Arash Daghighi, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-02-01)