Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY I...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Kressrogers, E
,
Nicholas, R
,
Englert, T
,
Pepper, M
Médium:
Journal article
Vydáno:
1980
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1982)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1983)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1980)
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1982)
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Autor: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, a další
Vydáno: (2010)