Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY I...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Kressrogers, E
,
Nicholas, R
,
Englert, T
,
Pepper, M
Μορφή:
Journal article
Έκδοση:
1980
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
ανά: Kressrogers, E, κ.ά.
Έκδοση: (1982)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
ανά: Kressrogers, E, κ.ά.
Έκδοση: (1983)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
ανά: Nicholas, R, κ.ά.
Έκδοση: (1980)
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
ανά: Nicholas, R, κ.ά.
Έκδοση: (1982)
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
ανά: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, κ.ά.
Έκδοση: (2010)