Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY I...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Kressrogers, E
,
Nicholas, R
,
Englert, T
,
Pepper, M
Format:
Journal article
Izdano:
1980
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
od: Kressrogers, E, i dr.
Izdano: (1982)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
od: Kressrogers, E, i dr.
Izdano: (1983)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
od: Nicholas, R, i dr.
Izdano: (1980)
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
od: Nicholas, R, i dr.
Izdano: (1982)
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
od: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, i dr.
Izdano: (2010)