Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY I...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Kressrogers, E
,
Nicholas, R
,
Englert, T
,
Pepper, M
Formaat:
Journal article
Gepubliceerd in:
1980
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Gelijkaardige items
CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
door: Kressrogers, E, et al.
Gepubliceerd in: (1982)
THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
door: Kressrogers, E, et al.
Gepubliceerd in: (1983)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
door: Nicholas, R, et al.
Gepubliceerd in: (1980)
TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE
door: Nicholas, R, et al.
Gepubliceerd in: (1982)
Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
door: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, et al.
Gepubliceerd in: (2010)