High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization

We investigate how to tailor the structural, crystallographic and optical properties of GaAs nanowires. Nanowires were grown by Au nanoparticle-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition. A high arsine flow rate, that is, a high ratio of group V to group III precursors, imparts significant adv...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Fickenscher, M, Perera, S, Hoang, T, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Zhang, X, Zou, J
Ձևաչափ: Journal article
Լեզու:English
Հրապարակվել է: 2008