High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
We investigate how to tailor the structural, crystallographic and optical properties of GaAs nanowires. Nanowires were grown by Au nanoparticle-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition. A high arsine flow rate, that is, a high ratio of group V to group III precursors, imparts significant adv...
প্রধান লেখক: | Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Fickenscher, M, Perera, S, Hoang, T, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Zhang, X, Zou, J |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2008
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
অনুযায়ী: Kang, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011) -
Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
অনুযায়ী: Jackson, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2008) -
Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
অনুযায়ী: Perera, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2008) -
Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
অনুযায়ী: Kang, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010) -
Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
অনুযায়ী: Kang, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)