High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization

We investigate how to tailor the structural, crystallographic and optical properties of GaAs nanowires. Nanowires were grown by Au nanoparticle-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition. A high arsine flow rate, that is, a high ratio of group V to group III precursors, imparts significant adv...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Fickenscher, M, Perera, S, Hoang, T, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Zhang, X, Zou, J
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2008

Podobné jednotky

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2011)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Autor: Jackson, H, a další
Vydáno: (2008)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
Autor: Perera, S, a další
Vydáno: (2008)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Autor: Smith, L, a další
Vydáno: (2007)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Autor: Titova, L, a další
Vydáno: (2006)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2008)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
Autor: Hoang, T, a další
Vydáno: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (2006)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2006)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Autor: Song, MS, a další
Vydáno: (2008)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2014)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Autor: Messing, M, a další
Vydáno: (2011)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
Autor: Zhang, X, a další
Vydáno: (2009)

Unexpected benefits of rapid growth rate for III-V nanowires.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2007)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Autor: Wang, H, a další
Vydáno: (2012)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2014)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2006)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2012)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2012)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2013)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Autor: Saxena, D, a další
Vydáno: (2013)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2013)

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.
Autor: Yong, C, a další
Vydáno: (2012)

Evolution of Wurtzite Structured GaAs Shells Around InAs Nanowire Cores
Autor: Kim Y, a další
Vydáno: (2009-01-01)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)