Minigaps and the quantum Hall effect in broken gap InAs/GaSb heterostructures

Minigaps and the quantum Hall effect in broken gap InAs/GaSb heterostructures

InAs/GaSb heterojunctions offer the unique situation in a semiconductor of overlapping conduction and valence bands. A wavevector dependent minigap occurs due to the anticrossing of the electron and hole dispersion relations. As a result the resistivity increases strongly in very pure intrinsic stru...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Nicholas, R, Lakrimi, M, Khym, S, Mason, N, Poulter, A, Vaughan, T, Walker, P, Maude, D, Portal, J, Symons, D, Peeters, F
Формат:	Conference item
Опубліковано:	1998

Схожі ресурси

Minigaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1997)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
за авторством: Poulter, A, та інші
Опубліковано: (1998)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
за авторством: Poulter, A, та інші
Опубліковано: (1999)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1998)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1998)

Mini-gaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1998)

Zero-Hall-resistance state in a semimetallic InAs/GaSb superlattice
за авторством: Daly, MS, та інші
Опубліковано: (1996)

Magneto-optics of InAs/GaSb heterostructures
за авторством: Vaughan, T, та інші
Опубліковано: (1995)

Intersubband transitions in InAs GaSb semimetallic superlattices
за авторством: Poulter, A, та інші
Опубліковано: (1999)

Electron-hole interactions and metal-insulator transitions in InAs/GaSb heterostructures
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (2001)

Intersubband transitions in InAs/GaSb semi-metallic superlattices
за авторством: Poulter, A, та інші
Опубліковано: (1998)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
за авторством: Daly, MS, та інші
Опубліковано: (1996)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
за авторством: Daly, MS, та інші
Опубліковано: (1996)

Thermopower and conductivity of InAs/GaSb crossed-gap heterostructures in a magnetic field
за авторством: Cao, S, та інші
Опубліковано: (1996)

Intersubband transitions in InAs/GaSb superlattices in a parallel magnetic field
за авторством: De Meester, R, та інші
Опубліковано: (2000)

Long wavelength photoresponse of short period InAs/GaSb superlattices
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1995)

The quantum Hall effect in an InAs/GaSb based electron-hole system and its current-driven breakdown
за авторством: Takashina, K, та інші
Опубліковано: (2002)

Intersubband lifetimes in InAs/GaSb superlattices using saturated absorption spectroscopy
за авторством: Poulter, A, та інші
Опубліковано: (1998)

Perpendicular and parallel magnetic field transport measurements in gated InAs/GaSb DHETs
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1998)

PRESSURE INVESTIGATION OF THE QUANTUM HALL-EFFECT IN INTRINSIC SEMIMETALLIC INAS/(GA,IN)SB HETEROSTRUCTURES
за авторством: Daly, M, та інші
Опубліковано: (1995)

Nano-Ridge Engineering of GaSb for the Integration of InAs/GaSb Heterostructures on 300 mm (001) Si
за авторством: Marina Baryshnikova, та інші
Опубліковано: (2020-04-01)

Effects of electron-hole hybridization on cyclotron resonance in InAs/GaSb heterostructures
за авторством: Petchsingh, C, та інші
Опубліковано: (2004)

Vertical transport and electroluminescence in InAs/GaSb/InAs structures: GaSb thickness and hydrostatic pressure studies
за авторством: Roberts, M, та інші
Опубліковано: (2002)

TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1995)

MAGNETOTRANSPORT STUDIES OF GASB/INAS CROSSED GAP HETEROSTRUCTURES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS
за авторством: Dalton, K, та інші
Опубліковано: (1993)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .1.
за авторством: Booker, G, та інші
Опубліковано: (1994)

Magnetoresistance of vertical transport in InAs/GaSb superlattices
за авторством: Broadley, V, та інші
Опубліковано: (2002)

Cyclotron resonance in an asymmetric electron-hole InAs/GaSb DHET structure
за авторством: Petchsingh, C, та інші
Опубліковано: (2000)

CYCLOTRON-RESONANCE IN INAS/GASB HETEROSTRUCTURES
за авторством: Sundaram, G, та інші
Опубліковано: (1992)

Temperature-dependent cyclotron resonance in a hybridized electron-hole system in InAs/GaSb heterostructures
за авторством: Petchsingh, C, та інші
Опубліковано: (2007)

Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE .3. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor
за авторством: Booker, G, та інші
Опубліковано: (1997)

The Effect of GaSb Substrate Oxidation Layer on InAs/GaSb Type II Superlattice
за авторством: Jiabo Liu, та інші
Опубліковано: (2023-03-01)

ONE-DIMENSIONAL TRANSPORT AND GATING OF INAS/GASB STRUCTURES
за авторством: Chen, Y, та інші
Опубліковано: (1994)

ORIENTATION AND PRESSURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1994)

CYCLOTRON AND INTERSUBBAND RESONANCE STUDIES IN [001] AND PIEZOELECTRIC [111] INAS/(GA,IN)SB SUPERLATTICES
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1994)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .2.
за авторством: Booker, G, та інші
Опубліковано: (1995)

Miniband transport and stark-cyclotron-resonance in InAs/GaSb superlattices
за авторством: Hales, V, та інші
Опубліковано: (2001)

High field magnetotransport in strongly coupled InAs/GaSb superlattices
за авторством: Deacon, R, та інші
Опубліковано: (2004)

Edge transport in the trivial phase of InAs/GaSb
за авторством: Fabrizio Nichele, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Theory of the band mixing induced negative magnetoresistance in broken gap superlattices
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1998)