Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah did...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2017
|
| Online Access: | http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf |
| _version_ | 1796931391963791360 |
|---|---|
| author | Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, |
| author_facet | Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, |
| author_sort | Mohd Ambri Mohamed, |
| collection | UKM |
| description | Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini. |
| first_indexed | 2024-03-06T04:17:21Z |
| format | Article |
| id | ukm.eprints-11132 |
| institution | Universiti Kebangsaan Malaysia |
| language | English |
| last_indexed | 2024-03-06T04:17:21Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia |
| record_format | dspace |
| spelling | ukm.eprints-111322017-12-21T04:32:57Z http://journalarticle.ukm.my/11132/ Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017-07 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf Mohd Ambri Mohamed, and Farah Dzilhani Zulkefli, and Burhanuddin Yeop Majlis, (2017) Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung. Sains Malaysiana, 46 (7). pp. 1141-1145. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html |
| spellingShingle | Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title | Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title_full | Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title_fullStr | Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title_full_unstemmed | Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title_short | Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| title_sort | pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung |
| url | http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf |
| work_keys_str_mv | AT mohdambrimohamed penciriantransistorkarbontiubnanoberdindingtunggalyangdihasilkanmelaluikaedahpertumbuhanlangsung AT farahdzilhanizulkefli penciriantransistorkarbontiubnanoberdindingtunggalyangdihasilkanmelaluikaedahpertumbuhanlangsung AT burhanuddinyeopmajlis penciriantransistorkarbontiubnanoberdindingtunggalyangdihasilkanmelaluikaedahpertumbuhanlangsung |