Simulasi pergerakan ion hidrogen dalam silikon
Disertasi ini membincangkan tentang pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon pada sudut tuju, bilangan ion serta tenaga yang berbeza. Jumlah tenaga yang dipelbagaikan adalah pada lOkeV, lO0keV, lO00keV yang masing-masing mempunyai sudut tuju 0°, 30° dan 60° dengan jumlah ion 100, 1000 dan 1000 setiap s...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Academic Exercise |
| Language: | English English |
| Published: |
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444/1/24%20PAGES.pdf https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444/2/FULLTEXT.pdf |
| Summary: | Disertasi ini membincangkan tentang pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon pada sudut tuju, bilangan ion serta tenaga yang berbeza. Jumlah tenaga yang dipelbagaikan adalah pada lOkeV, lO0keV, lO00keV yang masing-masing mempunyai sudut tuju 0°, 30° dan 60° dengan jumlah ion 100, 1000 dan 1000 setiap satunya. Kaedah yang digunakan dalam projek ini adalah simulasi perisia computer SRIM dengan kaedah pengiraan TRIM. Kajian mengenai pergerakan ion ini merangkumi penelitian terhadap penilaian secara kuantitatif bagaimana ion hilang tenaga kepada pepejal, penyebaranion selepas berhenti dalam pepejal, kesan terhadap atom pepejal dari segi kerosakan kekisi Silikon, pengionan atom serta penghasilan fonon dalam Silikon apabila ion melaluinya. Melalui kajian ini didapati tiga factor utama tersebut mempengaruhi pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon. |
|---|