Inductively Coupled Plasma Etching On Gan

Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Rosli, Siti Azlina
Formato: Tesis
Lenguaje:English
Publicado: 2010
Materias:
Acceso en línea:http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf

Ejemplares similares