Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project...
Autor principal: | Rosli, Siti Azlina |
---|---|
Formato: | Tesis |
Lenguaje: | English |
Publicado: |
2010
|
Materias: | |
Acceso en línea: | http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf |
Ejemplares similares
-
Surface Morphology And Formation Of Nanostructured Porous GaN By UV-Assisted Electrochemical Etching.
por: L, S Chuah, et al.
Publicado: (2009) -
The Growth Of Highly Doped p-GaN On Sapphire By RF Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
por: C, W Chin, et al.
Publicado: (2007) -
Optical Characterization Of GaN Thin Film Grown On Si(111) By Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
por: L, S Chuah, et al.
Publicado: (2007) -
Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
por: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
Publicado: (2019) -
Fabrication And Characterization Of Gan
Grown On Cubic Si (100) And Gaas (001)
Substrates
por: Mohmad Zaini, Siti Nurul Waheeda
Publicado: (2015)