Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
This study focuses on the growth and characterization of gallium nitride (GaN) nanostructures deposited on n-type PSi (100) substrate using electrochemical deposition (ECD) and radio frequency (RF) sputtering techniques. In the first step of this work, PSi substrates were obtained using direct curre...
প্রধান লেখক: | Shamsuddin, Siti Nur Atikah |
---|---|
বিন্যাস: | গবেষণাপত্র |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
2019
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://eprints.usm.my/55614/1/24%20Pages%20from%20Siti%20Nur%20Atikah.pdf |
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Surface Morphology And Formation Of Nanostructured Porous GaN By UV-Assisted Electrochemical Etching.
অনুযায়ী: L, S Chuah, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009) -
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
অনুযায়ী: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
প্রকাশিত: (2011) -
PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
অনুযায়ী: Chuah , Lee Siang
প্রকাশিত: (2009) -
Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.
অনুযায়ী: Zainal, Norzaini
প্রকাশিত: (2016) -
Surface and optical characteristics of polycrystalline GaN layer with different pores profile of porous GaAs/GaAs substrate
অনুযায়ী: Md Taib, Muhamad Ikram, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019)