Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects,...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf |
| _version_ | 1797003849688416256 |
|---|---|
| author | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| author_facet | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| author_sort | Abdul Hamid, Noorhisyam |
| collection | USM |
| description | Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah.
Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.
|
| first_indexed | 2024-03-06T13:47:42Z |
| format | Thesis |
| id | usm.eprints-6572 |
| institution | Universiti Sains Malaysia |
| language | English |
| last_indexed | 2024-03-06T13:47:42Z |
| publishDate | 2005 |
| record_format | dspace |
| spelling | usm.eprints-65722017-03-22T02:23:55Z http://eprints.usm.my/6572/ Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Abdul Hamid, Noorhisyam QD146-197 Inorganic chemistry Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates. 2005-11 Thesis NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia. |
| spellingShingle | QD146-197 Inorganic chemistry Abdul Hamid, Noorhisyam Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title_full | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title_fullStr | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title_full_unstemmed | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title_short | Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. |
| title_sort | pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon 111 pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza beza qd181 s6 n818 2005 f rb |
| topic | QD146-197 Inorganic chemistry |
| url | http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf |
| work_keys_str_mv | AT abdulhamidnoorhisyam pembentukandanpenciriankobaltsilisidaataswafersilikon111padasuhusubstratdansepuhlindapyangberbezabezaqd181s6n8182005frb |