Device design consideration for nanoscale MOSFET using semiconductor TCAD tools

Device design consideration for nanoscale MOSFET using semiconductor TCAD tools

The evolution of metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) technology has been governed mainly by device scaling over the past twenty years. One of the key questions concerning future ULSI technology is whether MOSFET devices can be scaled to 100 nmchannel length and beyond for cont...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Teoh, Chin Hong, Ismail, Razali
Định dạng:	Conference or Workshop Item
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2006
Những chủ đề:	TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Truy cập trực tuyến:	http://eprints.utm.my/7496/1/Razali_Ismail_2006_Device_Design_Consideration_for_Nanoscale.pdf

Những quyển sách tương tự

Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
Bằng: Wong, Yah Jin, et al.
Được phát hành: (2006)

Optimization of nanoscale complementary metal oxide semiconductor performance
Bằng: Teoh, Chin Hong
Được phát hành: (2007)

Modelling of nanoscale MOSFET performance in the velocity saturation region
Bằng: Tan, Micheal Loong Peng, et al.
Được phát hành: (2007)

Optimization of device performance using semiconductor TCAD tools /
Bằng: 244399 Yew, Kwang Sing, et al.
Được phát hành: (2007)

Modeling the effect of velocity saturation in nanoscale MOSFET
Bằng: Tan, Michael Loong Peng
Được phát hành: (2006)

Development of partially and fully depleted silicon-on-insulator MOSFET using tcad tools /
Bằng: Teoh, Shu Wen, 1986-, et al.
Được phát hành: (2010)

Characterization of silicon - on - insulator (SOI) mosfet using TCAD tools /
Bằng: 247481 Yeoh, Chun Jern, et al.
Được phát hành: (2007)

Process and characterization of MOSFET incorporating dielectric pocket (DP-MOSFET) using TCAD tools /
Bằng: Razali Ismail, 1960-, author, et al.
Được phát hành: (2007)

Ballistic quantum transport in a nanoscale metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Bằng: Arora, Vijay K., et al.
Được phát hành: (2007)

Design and simulation of 50 nm vertical double-gate MOSFET (VDGM)
Bằng: Saad, Ismail, et al.
Được phát hành: (2006)

Scaling and numerical simulation analysis of 50 nm MOSFET incorporating dielectric pocket (DP-MOSFET)
Bằng: M. N., Zul Atfyi Fauzan, et al.
Được phát hành: (2008)

Design of transformerless inverter using H-Bridge Mosfet as a switching device
Bằng: Muhammad Rafiq, Muhammad Amin
Được phát hành: (2013)

Optimization of device performance using semiconductor TCAD tools [electronic resource] /
Bằng: Yew, Kwang Sing, author, et al.
Được phát hành: (2007)

TCAD-Informed Surrogate Models of Semiconductor Devices
Bằng: Chinnery, Samuel B.
Được phát hành: (2022)

Semiconductor device fabrication using TCAD simulations /
Bằng: 389068 Lim, Chee Loon
Được phát hành: (2004)

Emerging nanoelectronics device design exploration incorporating vertical impact-ionization mosfet and strained (SiGe) technology
Bằng: Ismail Saad
Được phát hành: (2013)

Some Considerations And Design Optimization Of 3-Phase Semiconductor Rectifier Power Transformer
Bằng: Rama Rao, K.S.
Được phát hành: (2003)

Characterization of 50 nm MOSFET with dielectric pocket
Bằng: Fauzan, Zul Atfyi, et al.
Được phát hành: (2007)

TCAD simulation of tunnel FET devices
Bằng: Ang, Ming Hao
Được phát hành: (2009)

Study the effect of drain induced barrier lowering (DIBL) in CMOS device by using silvaco TCAD / Hashimah Hashim , Shafinaz Sobihana Shariffudin , Puteri Sarah Mohamad &Aad
Bằng: Hashimah, Hashim, et al.
Được phát hành: (2007)

Self-aligned vertical double-gate MOSFET (VDGM) with the oblique rotating ion implantation (ORI) method
Bằng: Saad, Ismail, et al.
Được phát hành: (2008)

Characterization of silicon - on - insulator (SOI) mosfet using TCAD tools [electronic resource] /
Bằng: 247481 Yeoh, Chun Jern, et al.
Được phát hành: (2007)

Performance design and simulation analysis of vertical double gate MOSFET (VDGM)
Bằng: Ismail Saad, et al.
Được phát hành: (2011)

CAD software for semiconductor device modeling
Bằng: Othman, Yasmin
Được phát hành: (2004)

Design and develop current limiter for mosfet during overvoltage operation
Bằng: Nur Haezah, Mamat
Được phát hành: (2012)

Semiconductor device fabrication using TCAD simulations [compact disc] /
Bằng: 389068 Lim, Chee Loon
Được phát hành: (2004)

Safe operating condition and lifetime estimation in p-MOSFET device due to negative bias temperature instability
Bằng: Hussin, H., et al.
Được phát hành: (2011)

Effects of total Dose irradiation on Semiconductor devices
Bằng: Haider F. Abdul Amir, et al.
Được phát hành: (2009)

Advanced fabrication techniques for designing nanoscale mosfet /
Bằng: 266516 Wong, Suei Huey, et al.
Được phát hành: (2007)

Microcontroller based variable gate voltage for MOSFET
Bằng: Nuripaizail, Ahmad
Được phát hành: (2008)

Penguatkuasa VHF Menggunakan Mosfet Kuasa
Bằng: Abu Hasan, Juniah
Được phát hành: (2006)

Computational analysis of ballistic saturation velocity in low-dimensional nano-MOSFET
Bằng: Ismail Saad, et al.
Được phát hành: (2011)

Simulation of 0.18 micron MOSFET and its characterization
Bằng: Ahmad Radzi, Syafeeza
Được phát hành: (2005)

Semi - empirical device model for nanoscale MOSFET /
Bằng: 418115 Lai, Zyn Ming, et al.
Được phát hành: (2007)

27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION
Bằng: T. T. Trung, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

Modelling Of Advanced Iii-V Compound Semiconductor Devices
Bằng: Rozik, Nik Nor Amirah
Được phát hành: (2017)

EBB 424E-3 SEMICONDUCTOR DEVICES AND OPTOELECTRONIC OCT 04.
Bằng: PPKBSM, Pusat Pengajian Kejuruteraan Bahan dan Sumber Mineral
Được phát hành: (2004)

Transport enhancement techniques for nanoscale MOSFETs
Bằng: Khakifirooz, Ali
Được phát hành: (2008)

Characterization of planar and vertical n-channel mosfet in nanometer regime
Bằng: Sulaiman, Ima
Được phát hành: (2007)

A study on the impact of processing parameters on low-voltage power MOSFET
Bằng: Nur Aqilah, Othman
Được phát hành: (2012)