The effect of different ge concentration on the characteristics of strain silicon MOSFET /

Benzer Materyaller

• Scaling and numerical simulation analysis of 50nn MOSFET incorporating dielectric pocket (DP - MOSFET) /
  Yazar:: Razali Ismail, 1960-, author, ve diğerleri
  Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)
• Design of 100nm pMOSFET with a SiGe heterostructure channel /
  Yazar:: Wong, Yah Jin, 1983-, author, ve diğerleri
  Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)
• Analytical threshold voltage model of nanoscale biaxial ultrathin strained-Si MOSFETs /
  Yazar:: Yau, Wei Heong, author, ve diğerleri
  Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)
• Characterization of strained silicon MOSFET using semiconductor TCAD tools
  Yazar:: Wong, Yah Jin, ve diğerleri
  Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)
• Investigation on the effects of oblique rotating ion implantation (ORI) for nanoscale vertical double gate NMOSFET /
  Yazar:: Razali Ismail, 1960-, author, ve diğerleri
  Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)