Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Modelling of dopant diffusion...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Vienti valmis —
Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process [mikrofilem]/
Project paper (Bachelor of Electrical Engineering) -- Universiti Teknologi Malaysia, 1990
Bibliografiset tiedot
Päätekijä:
225173 Oommen P. A. Kunjappy
Aineistotyyppi:
Julkaistu:
1990
Aiheet:
Metal oxide semiconductors
Silicon
Microelectronics
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Modelling of dopant diffusion in MOS fabrication process /
Tekijä: 225173 Oommen P. A. Kunjappy
Advanced fabrication techniques for designing nanoscale mosfet /
Tekijä: 266516 Wong, Suei Huey, et al.
Julkaistu: (2007)
Advanced fabrication techniques for designing nanoscale mosfet [electronic resource] /
Tekijä: 266516 Wong, Suei Huey, et al.
Julkaistu: (2007)
Temperature sensitivity MOS operational amplifiers / [mikrofilem]
Tekijä: 403035 Bertsch, John Edward
The MOS system /
Tekijä: Engstrm̲, Olof, author
Julkaistu: (2014)