Materials aspects of GaAs and InP based structures /

Materials aspects of GaAs and InP based structures /

16

Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän: 406493 Swanminathan, V., Macrander, A. T.
Materialtyp:
Publicerad: Englewood Cliffs, New Jersey : Prentice-Hall, 1991
Ämnen:
Semiconductors
Gallium arsenide semiconductors
Epitaxy

Liknande verk