Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Language
All Fields
Title
Author
Subject
Call Number
ISBN/ISSN
Tag
Find
Advanced
Kajian perubahan ciri I-V terh...
Cite this
Text this
Email this
Print
Export Record
Export to RefWorks
Export to EndNoteWeb
Export to EndNote
Permanent link
Kajian perubahan ciri I-V terhadap perubahan ketebalan SiO2 /
Project Paper (Sarjana Muda Sains serta Pendidikan (Fizik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2000
Bibliographic Details
Main Authors:
374195 Hazuraini Ismail
,
Zulkafli Othaman,lcsupervisor
,
fakulti Sains
Format:
Language:
may
Published:
2000
Holdings
Description
Similar Items
Staff View
Similar Items
Kajian kesan ketebalan lapisan dielektrik terhadap struktur AI-SiO-AI /
by: 191827 Teo, Boon Kim, et al.
Published: (2004)
Sentuhan AI-SiO-AI; kajian ketebalan penebat dengan arus /
by: 391563 Ong, Chee Wei, et al.
Published: (1999)
Kajian perubahan ciri I-V dan ciri C-V MOS saput tipis SnSe terhadap perubahan ketebalan lapisan oksida SiO2 /
by: 349670 Tan, Soo Chin
Published: (1997)
Kajian sifat optik saput tipis silikon dioksida, SiO2 pada ketebalan berbeza-beza /
by: Norizah Zulkifli,ld1986-, et al.
Published: (2008)
Kesan ketebalan SiO terhadap ciri I-V MIS /
by: 374160 Zulkefli Mohd Aris, et al.
Published: (2000)