Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Language
All Fields
Title
Author
Subject
Call Number
ISBN/ISSN
Tag
Find
Advanced
Kesan stress terhadap penciria...
Cite this
Text this
Email this
Print
Export Record
Export to RefWorks
Export to EndNoteWeb
Export to EndNote
Permanent link
Kesan stress terhadap pencirian arus voltan, konfigurasi pemancar sepunya transistor dwi kutub (BJT) /
Project Paper (Sarjana Muda Sains (Fizik Industri)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2002
Bibliographic Details
Main Authors:
430377 Shahnaz Abu Bakar
,
Hazri Bakhtiar
,
Fakulti Sains
Format:
Language:
may
Published:
2002
Holdings
Description
Similar Items
Staff View
Similar Items
Mengkaji ciri keluaran transistor DWI-kutub (BJT) dalam konfigurasi pemancar sepunya (Common emitter configuration) dengan arus tapak yang tertentu /
by: 205609 Ling, Mee Ling, et al.
Published: (2003)
Pencirian arus-voltan bagi transistor kesan medan logam-oksida silikon (mosfet) /
by: 401364 Rizuan Mohd Mahrol, et al.
Published: (2001)
Pencirian arus-voltan berkomputer /
by: 314173 Ravi Shanker Miniappan
Published: (1994)
Kesan suhu terhadap pencirian elektrik BJT dengan menggunakan simulasi PSPICE /
by: Nur Fatihah Mohd Yusoff, et al.
Published: (2007)
Mengkaji kesan stress yang merupakan faktor masa penggunaan terhadap pencirian arus voltan n-mosfet /
by: 438252 Goopi Maniam, et al.
Published: (2002)