Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Modeling and characterization...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Modeling and characterization of single electron memory using simon [electronic resource] /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2007
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
238105 Hamdan Sayuti
,
Fakulti Kejuruteraan Elektrik
Médium:
Vydáno:
2007
Témata:
Random access memory
Semiconductors
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Modeling and characterization of single electron memory using simon /
Autor: 238105 Hamdan Sayuti, a další
Vydáno: (2007)
Simulation of static random access memory (SRAM) in HSPICE [electronic resource] /
Autor: Ika Dewi Saiful Bahri, 1988- , author
Vydáno: (2012)
Simulation of static random access memory (SRAM) in HSPICE /
Autor: Ika Dewi Saiful Bahri, 1988- , author, a další
Vydáno: (2012)
Performance analysis of 22NM FinFET-based 8T SRAM cell /
Autor: Nur Hasnifa Hasan Baseri, 1992-, author, a další
Vydáno: (2018)
Performance analysis of 22NM FinFET-based 8T SRAM cell /
Autor: Nur Hasnifa Hasan Baseri, 1992-, author, a další
Vydáno: (2018)