Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
PECVD silicon carbide deposite...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
PECVD silicon carbide deposited at different temperature /
PSZJBL
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
B. Zatko, J. Huran
,
Hotovy, I.
,
Pezoldt, J.
Médium:
Jazyk:
eng
Témata:
Silicon carbide
Semiconductors
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Popis
Shrnutí:
PSZJBL
Podobné jednotky
Advances in silicon carbide processing and applications /
Autor: Saddow, Stephen E., a další
Vydáno: (2004)
Silicon carbide /
Autor: 269121 Frantsevich, I. N., a další
Vydáno: (1970)
Silicon carbide '87 /
Autor: Silicon Carbide Symposium (1987 : Columbus, Ohio), a další
Vydáno: (c198)
Silicon carbide devices and technology /
Autor: Fraley, Bill
Vydáno: (2015)
Silicon carbide and related materials 2008 : selected, peer reviewed papers from the 7th European conference on silicon carbide and related materials, September 7-11, Barcelona, Spain /
Autor: European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (7th : 2008 : Barcelona, Spain), a další
Vydáno: (2009)