Weiter zum Inhalt
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprache
Alle Felder
Titel
Verfasser
Schlagwort
Signatur
ISBN/ISSN
Tag
Suchen
Erweitert
Low-temperature PECVD of nanod...
Zitieren
SMS versenden
Als E-Mail versenden
Drucken
Datensatz exportieren
Exportieren nach RefWorks
Exportieren nach EndNoteWeb
Exportieren nach EndNote
Persistenter Link
Low-temperature PECVD of nanodevice-grade nc-3C-SiC/
PSZJBL
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:
496526 Cheng, Qijin
,
Shuyan, Xu
,
Long, Jidong
,
Ostrikov, Kostya (Ken)
Format:
Sprache:
eng
Schlagworte:
Nanocrystals
Silicon carbide
Exemplare
Beschreibung
Ähnliche Einträge
Internformat
Beschreibung
Zusammenfassung:
PSZJBL
Ähnliche Einträge
SiC materials and devices /
von: 378239 Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2007)
Formation of SiC by Vacuum Carbidization on Porous Silicon
von: M. V. Labanok, et al.
Veröffentlicht: (2022-10-01)
RESEARCH ON SiC FOR INTERFACE QUALITY
von: Cristiana VOICAN, et al.
Veröffentlicht: (2013-05-01)
Kajian sifat optik dan fotoluminesens pada saput tipis Silikon Karbida (SiC) /
von: 258900 Lau, Chen Chen, et al.
Veröffentlicht: (2003)
PECVD silicon carbide deposited at different temperature /
von: B. Zatko, J. Huran, et al.