Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
Формат:
Хэл сонгох:eng
Хэвлэсэн: 2010
Нөхцлүүд: