Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

書誌詳細
主要な著者: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
フォーマット:
言語:eng
出版事項: 2010
主題: