Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
Formatua:
Hizkuntza:eng
Argitaratua: 2010
Gaiak: