Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Päätekijät: | , , |
---|---|
Aineistotyyppi: | |
Kieli: | eng |
Julkaistu: |
2010
|
Aiheet: |