Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
פורמט:
שפה:	eng
יצא לאור:	2010
נושאים:	Metal-oxide semiconductor field-effect transistors

פריטים דומים