Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Autori principali: | , , |
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Natura: | |
Lingua: | eng |
Pubblicazione: |
2010
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