Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

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Autori principali: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
Natura:
Lingua:eng
Pubblicazione: 2010
Soggetti: