Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Główni autorzy: | , , |
---|---|
Format: | |
Język: | eng |
Wydane: |
2010
|
Hasła przedmiotowe: |