Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Главные авторы: | , , |
---|---|
Формат: | |
Язык: | eng |
Опубликовано: |
2010
|
Предметы: |