Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Huvudupphovsmän: | , , |
---|---|
Materialtyp: | |
Språk: | eng |
Publicerad: |
2010
|
Ämnen: |