Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Structure and electrical prope...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Structure and electrical properties of gallium arsenide nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition /
Thesis (Ph.D (Fizik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2011
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Rosnita Muhammad, 1972-
,
Zulkafli Othaman, supervisor
,
Yussof Wahab, supervisor
,
Fakulti Sains
Format:
Idioma:
eng
Publicat:
2011
Matèries:
Nanostructures
Nanostructured materials
Nanowires
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Structure and electrical properties of gallium arsenide nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition [electronic resource] /
per: Rosnita Muhammad, 1972-
Publicat: (2011)
Gold seed-particles assisted growth of indium gallium arsenide nanowires /
per: Edy Wibowo, 1986-, et al.
Publicat: (2011)
Gold seed-particles assisted growth of indium gallium arsenide nanowires [electronic resource] /
per: Edy Wibowo, 1986-
Publicat: (2011)
Structural characterization of silicon nanowires grown by a 150 MHz very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition /
per: Habib Hamidinezhad, 1975-, et al.
Publicat: (2011)
Gallium arsenide nanowires formed by Au - assisted metal - organic chemical vapor deposition : effect of growth temperature /
per: Rosnita Muhammad, 1972-, author, et al.
Publicat: (2008)