Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Simulation and modeling of cur...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Simulation and modeling of curved channel metal oxide semiconductor field effect transisto [electronic resource] /
Thesis (Doktor Falsafah (Kejuruteraan Elektrik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2012
Библиографические подробности
Главный автор:
Jatmiko Endro Suseno, 1972-
Формат:
Язык:
eng
Опубликовано:
2012
Предметы:
Metal oxide semiconductors
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Simulation and modeling of curved channel metal oxide semiconductor field effect transistor /
по: Jatmiko Endro Suseno, 1972-, и др.
Опубликовано: (2012)
Modeling and simulation of drain induced barrier lowering in short channel metal oxide semiconductor field effect transistor [electronic resource] /
по: 264557 Bambang Sudarman Osman
Опубликовано: (2007)
MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology /
по: 269418 Nicollian, E. H., и др.
Опубликовано: (2003)
Modeling and simulation of drain induced barrier lowering in short channel metal oxide semiconductor field effect transistor /
по: 264557 Bambang Sudarman Osman
Опубликовано: (2007)
Modeling of electrical, process and temperature variations in metal-oxide-semiconductor transistor mismatch [electronic resource] /
по: Muhamad Amri Ismail, 1978-, и др.
Опубликовано: (2009)