Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Growth of silicon carbide on g...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Growth of silicon carbide on graphene by hot mesh chemical vapor deposition [electronic resource] /
Thesis (Ph.D (Kejuruteraan Elektrik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2013
Opis bibliograficzny
1. autor:
Budi Astuti, 1979-, author
Format:
Język:
eng
Wydane:
2013
Hasła przedmiotowe:
Transistors
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Growth of silicon carbide on graphene by hot mesh chemical vapor deposition /
od: Budi Astuti, 1979-, author, i wsp.
Wydane: (2013)
Graphene-on-Insulator Transistors Made Using C on Ni Chemical-Vapor Deposition
od: Keast, Craig L., i wsp.
Wydane: (2010)
Deposition polycrystalline diamond on silicon nitride and tungsten carbide by using hot filament chemical vapor deposition [electronic resource] /
od: Chee, Kevin Mun Fai, 1985-
Wydane: (2009)
Deposition polycrystalline diamond on silicon nitride and tungsten carbide by using hot filament chemical vapor deposition /
od: Chee, Kevin Mun Fai, 1985-, i wsp.
Wydane: (2009)
Chemical vapor deposition growth of graphene
od: Fang, Wenjing
Wydane: (2013)