Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de...

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Bibliographic Details
Main Authors: Luiz Carlos Poças, Élder Mantovani Lopes, José Leonil Duarte, Ivan Frederico Lupiano Dias, Edson Laureto, Dari Oliveira Toginho Filho, Paulo Sérgio Soares Guimarães, Luiz Alberto Cury, Harmand Jean Christophe
Format: Article
Language:English
Published: Universidade Estadual de Londrina 2004-12-01
Series:Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas
Subjects:
InGaAs/InP
Fotoluminescência.
Online Access:https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/1573

Internet

https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/1573

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