Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de...
| Main Authors: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Universidade Estadual de Londrina
2004-12-01
|
| Series: | Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/1573 |
| _version_ | 1828057304941985792 |
|---|---|
| author | Luiz Carlos Poças Élder Mantovani Lopes José Leonil Duarte Ivan Frederico Lupiano Dias Edson Laureto Dari Oliveira Toginho Filho Paulo Sérgio Soares Guimarães Luiz Alberto Cury Harmand Jean Christophe |
| author_facet | Luiz Carlos Poças Élder Mantovani Lopes José Leonil Duarte Ivan Frederico Lupiano Dias Edson Laureto Dari Oliveira Toginho Filho Paulo Sérgio Soares Guimarães Luiz Alberto Cury Harmand Jean Christophe |
| author_sort | Luiz Carlos Poças |
| collection | DOAJ |
| description | Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada. |
| first_indexed | 2024-04-10T21:10:33Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-07ed2fa7c6ea43c081c24b16e5373a9a |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1676-5451 1679-0375 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-04-10T21:10:33Z |
| publishDate | 2004-12-01 |
| publisher | Universidade Estadual de Londrina |
| record_format | Article |
| series | Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas |
| spelling | doaj.art-07ed2fa7c6ea43c081c24b16e5373a9a2023-01-20T20:38:14ZengUniversidade Estadual de LondrinaSemina: Ciências Exatas e Tecnológicas1676-54511679-03752004-12-0125210.5433/1679-0375.2004v25n2p183Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecularLuiz Carlos Poças0Élder Mantovani Lopes1José Leonil Duarte2Ivan Frederico Lupiano Dias3Edson Laureto4Dari Oliveira Toginho Filho5Paulo Sérgio Soares Guimarães6Luiz Alberto Cury7Harmand Jean Christophe8Universidade Estadual de LondrinaUniversidade Estadual de LondrinaUniversidade Estadual de LondrinaUniversidade Estadual de LondrinaUniversidade Estadual de LondrinaUniversidade Estadual de LondrinaUniversidade Federal de Minas GeraisUniversidade Federal de Minas GeraisLaboratoire de Photonique et de Nanostructures - FranceMedidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada.https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/1573InGaAs/InPFotoluminescência. |
| spellingShingle | Luiz Carlos Poças Élder Mantovani Lopes José Leonil Duarte Ivan Frederico Lupiano Dias Edson Laureto Dari Oliveira Toginho Filho Paulo Sérgio Soares Guimarães Luiz Alberto Cury Harmand Jean Christophe Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas InGaAs/InP Fotoluminescência. |
| title | Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular |
| title_full | Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular |
| title_fullStr | Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular |
| title_full_unstemmed | Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular |
| title_short | Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular |
| title_sort | fotoluminescencia do ingaas inp crescido pela tecnica de epitaxia por feixe molecular |
| topic | InGaAs/InP Fotoluminescência. |
| url | https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/1573 |
| work_keys_str_mv | AT luizcarlospocas fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT eldermantovanilopes fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT joseleonilduarte fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT ivanfredericolupianodias fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT edsonlaureto fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT darioliveiratoginhofilho fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT paulosergiosoaresguimaraes fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT luizalbertocury fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular AT harmandjeanchristophe fotoluminescenciadoingaasinpcrescidopelatecnicadeepitaxiaporfeixemolecular |