| Summary: | In this work, CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub> (CCTO) ceramics were prepared by solid state reaction at 900°C for 12 h and sintered at 1100°C during 3 h. The main phase detected through X-ray diffraction (XRD) was CCTO. Also, by means of Raman spectroscopy, it was observed a secondary phase rich in CuO. A dielectric constant higher than 13.000ε<sub>0</sub> was obtained by Impedance spectroscopy measurements in the range between 25 to 10<sup>6</sup>Hz. The value could be explained by the effect of dipolar and space charge polarization processes.<br><br>En este trabajo se prepararon cerámicos basados en CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub> (CCTO) por reacción en estado sólido a 900°C y posterior sinterizado a 1100°C. Mediante difracción de rayos X (DRX) se comprobó la presencia de CCTO. A través de espectroscopía Raman se observó la presencia de una fase secundaria rica en CuO. Las mediciones de espectroscopía de impedancia demostraron que este material presenta una constante dieléctrica mayor a 13.000ε<sub>0</sub> en el intervalo comprendido entre 25 y 10<sup>6</sup> Hz. Este valor es atribuido a la presencia de mecanismos de polarización de carga espacial y dipolar.
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