Comportamiento dieléctrico de cerámicos de CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>
In this work, CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub> (CCTO) ceramics were prepared by solid state reaction at 900°C for 12 h and sintered at 1100°C during 3 h. The main phase detected through X-ray diffraction (XRD) was CCTO. Also, by means of Raman spectros...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Elsevier
2011-08-01
|
| Series: | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/1077/1112 |
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| author | Castro, M. S. Reboredo, M. M. Ramajo, L. |
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| description | In this work, CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub> (CCTO) ceramics were prepared by solid state reaction at 900°C for 12 h and sintered at 1100°C during 3 h. The main phase detected through X-ray diffraction (XRD) was CCTO. Also, by means of Raman spectroscopy, it was observed a secondary phase rich in CuO. A dielectric constant higher than 13.000ε<sub>0</sub> was obtained by Impedance spectroscopy measurements in the range between 25 to 10<sup>6</sup>Hz. The value could be explained by the effect of dipolar and space charge polarization processes.<br><br>En este trabajo se prepararon cerámicos basados en CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub> (CCTO) por reacción en estado sólido a 900°C y posterior sinterizado a 1100°C. Mediante difracción de rayos X (DRX) se comprobó la presencia de CCTO. A través de espectroscopía Raman se observó la presencia de una fase secundaria rica en CuO. Las mediciones de espectroscopía de impedancia demostraron que este material presenta una constante dieléctrica mayor a 13.000ε<sub>0</sub> en el intervalo comprendido entre 25 y 10<sup>6</sup> Hz. Este valor es atribuido a la presencia de mecanismos de polarización de carga espacial y dipolar. |
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