Превращения фаз в процессе отжига пленок Ga2O3
Разработана методика роста получения трех основных кристаллических фаз Ga2O3, а именно: a-фазы, e-фазы и b-фазы методом хлоридной эпитаксии из пара (HVPE). Найдены температуры подложек и величины потоков прекурсоров при которых осаждается только a-фаза, только e-фаза или только b-фаза. Обнаружено, ч...
| Main Authors: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Voronezh State University
2023-12-01
|
| Series: | Конденсированные среды и межфазные границы |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11479 |