基于gm/Id方法的跨阻放大器设计
针对短沟道晶体管数学模型高复杂度问题，文章提出了一种适用于刻画短沟道晶体管模型的gm/Id方法。该方法主要通过建立电路指标与晶体管尺寸的关系来优化电路性能。采用gm/Id方法设计了一种低功耗、低噪声和宽带宽的2.5 Gbit/s跨阻放大器，并进行了版图后仿真，仿真结果表明，当光电二极管电容为250 fF、跨阻放大器的低频增益为59.72 dBΩ、-3 dB带宽为3.445 GHz、输入的等效噪声电流密度为6.209×10<sup>-3</sup> nA/sqrt/Hz、等效输入积分噪声电流为876.0 nA且采用1.2 V的电压供电时，该电路整体功耗为7.5 mW。测试...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
2021-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2021.02.010 |