پتانسیل پاشندگی یک اتم حالت پایه در محیط‌های مغناطوالکتریک اتلافی با پاسخ غیر موضعی
به‌کمک روش اختلال، رابطة انرژی پتانسیل پاشندگی یک اتم الکتریکی و یا مغناطیسی حالت پایه در حضور مواد مغناطوالکتریک اتلافی را به محیط‌های غیرموضعی تعمیم داده‌ایم. از آنجایی که رابطة نهایی به هندسة سیستم وابسته است، می‌توان نیروی کازیمیر-پولدر را نیز در چنین سیستم‌هایی با محاسبة شیب انرژی پتانسیل به‌دس...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2023-02-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_18125_3d42c59e314215c4b0b9d2915ce0c344.pdf |