پتانسیل پاشندگی یک اتم حالت پایه در محیط‌های مغناطوالکتریک اتلافی با پاسخ غیر موضعی
به‌کمک روش اختلال، رابطة انرژی پتانسیل پاشندگی یک اتم الکتریکی و یا مغناطیسی حالت پایه در حضور مواد مغناطوالکتریک اتلافی را به محیط‌های غیرموضعی تعمیم داده‌ایم. از آنجایی که رابطة نهایی به هندسة سیستم وابسته است، می‌توان نیروی کازیمیر-پولدر را نیز در چنین سیستم‌هایی با محاسبة شیب انرژی پتانسیل به‌دس...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2023-02-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_18125_3d42c59e314215c4b0b9d2915ce0c344.pdf |
| Summary: | به‌کمک روش اختلال، رابطة انرژی پتانسیل پاشندگی یک اتم الکتریکی و یا مغناطیسی حالت پایه در حضور مواد مغناطوالکتریک اتلافی را به محیط‌های غیرموضعی تعمیم داده‌ایم. از آنجایی که رابطة نهایی به هندسة سیستم وابسته است، می‌توان نیروی کازیمیر-پولدر را نیز در چنین سیستم‌هایی با محاسبة شیب انرژی پتانسیل به‌دست آورد. اگرچه رابطة پتانسیل به لحاظ شکل ظاهری کاملاً مشابه با رابطة متناظر در محیط‌های موضعی می‌باشد که پیش‌تر به‌دست آمده است، اما به‌دلیل تفاوت تانسور گرین محیط‌های موضعی با محیط غیرموضعی و وابستگی رابطة نهایی پتانسیل پاشندگی به تانسور گرین محیط، نتایج کاملاً متفاوتی به‌دست می‌آوریم. |
|---|---|
| ISSN: | 2322-231X 2588-4980 |