تاثیر کاشت یونی ژرمانیم در فرآیند ایجاد اکسید حرارتی سیلیکون
سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.
Main Author: | داریوش فتحی |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Nuclear Science and Technology Research Institute
1991-05-01
|
Series: | مجله علوم و فنون هستهای |
Online Access: | https://jonsat.nstri.ir/article_922_aceafa3074af26a93480b3b36990cb27.pdf |
Similar Items
-
مطالعة نظری اثر تعداد استخلاف ژرمانیم و سیلیکون در C20 کاسهای بر خواص ترمو الکتریکی
by: فرّخ رؤیا نیکمرام, et al.
Published: (2020-08-01) -
ساختمان اتمی کریستال کشت شده واثرات کانالی در کشت یونی
by: داریوش فتحی, et al.
Published: (1989-02-01) -
تأثیر کاربریهای شهری در ایجاد جزایر حرارتی (مطالعه موردی: شهر مشهد)
by: حسن محمودزاده, et al.
Published: (2018-09-01) -
تأثیر تابع پتانسیل بر شبیهسازی دینامیک مولکولی فرآیند ماشینکاری نانومتری سیلیکون تککریستال
by: سید نادر عاملی کلخوران, et al.
Published: (2019-08-01) -
مطالعه آزمایشگاهی و مدلسازی سینتیکی تشکیل هیدرات کربندیاکسید در حضور مایعات یونی
by: محمدرضا مرادی, et al.
Published: (2013-06-01)