Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述
IaGaAs和InGaAsP异质结雪崩光电二极管的性能受到隧道效应、微等离子体和杂质等的严重影响。采用光吸收区电倍增区分离的结构。以宽能隙的InP为电倍增区,窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区,P型扩散杂质低于临界值N<sub>D</sub><sup>+</sup>,以及雪崩区的适当厚度,就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底,生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀,选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000,暗电流为2pA（0.5V<sub&g...
| Main Author: | |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1982-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1982.01.005 |