Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

The thermoelectric properties of n-type InGaN alloys with high In-content and InN/InGaN thin film superlattices (SL) grown by molecular beam epitaxy are investigated. Room-temperature measurements of the thermoelectric properties reveal that an increasing Ga-content in ternary InGaN alloys (0 < x...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	James (Zi-Jian) Ju, Bo Sun, Georg Haunschild, Bernhard Loitsch, Benedikt Stoib, Martin S. Brandt, Martin Stutzmann, Yee Kan Koh, Gregor Koblmüller
Médium:	Článek
Jazyk:	English
Vydáno:	AIP Publishing LLC 2016-04-01
Edice:	AIP Advances
On-line přístup:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4948446

Podobné jednotky

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
Autor: Liwen Cheng, a další
Vydáno: (2021-08-01)

Electrocatalytic activity of InN/InGaN quantum dots
Autor: Hongjie Yin, a další
Vydáno: (2019-09-01)

Analysis of InGaN-Delta-InN Quantum Wells on InGaN Substrates for Red Light Emitting Diodes and Lasers
Autor: Bryan Melanson, a další
Vydáno: (2021-01-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
Autor: Hideyuki Itakura, a další
Vydáno: (2020-02-01)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
Autor: Zhang, Xueliang, a další
Vydáno: (2014)

Enhancement in Indium Incorporation for InGaN Grown on InN Intermediate Layer
Autor: Hartono, Haryono, a další
Vydáno: (2005)

An InN/InGaN Quantum Dot Electrochemical Biosensor for Clinical Diagnosis
Autor: Saima Zaman, a další
Vydáno: (2013-10-01)

Spectral dependence of THz emission from InN and InGaN layers
Autor: Ričardas Norkus, a další
Vydáno: (2019-05-01)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epilayers Grown on sapphire
Autor: Chua, Soo-Jin, a další
Vydáno: (2003)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epliayers Grown on Sapphire
Autor: Song, T.L., a další
Vydáno: (2003)

Bayesian Optimization of Hubbard U’s for Investigating InGaN Superlattices
Autor: Maxim N. Popov, a další
Vydáno: (2021-08-01)

Strain-Induced Band Gap Variation in InGaN/GaN Short Period Superlattices
Autor: Polyxeni Chatzopoulou, a další
Vydáno: (2023-04-01)

Axial InN/InGaN Nanorod Array Heterojunction Photodetector with Ultrafast Speed
Autor: Jixing Chai, a další
Vydáno: (2023-03-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2005)

Modeling of the Interminiband Absorption Coefficient in InGaN Quantum Dot Superlattices
Autor: Giovanni Giannoccaro, a další
Vydáno: (2016-01-01)

Optical Gain and Laser Characteristics of InGaN Quantum Wells on Ternary InGaN Substrates
Autor: Jing Zhang, a další
Vydáno: (2013-01-01)

The structural properties of InGaN alloys and the interdependence on the thermoelectric behavior
Autor: Bahadir Kucukgok, a další
Vydáno: (2016-02-01)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
Autor: Martin, R, a další
Vydáno: (2005)

Intensive measures of luminescence in GaN/InGaN heterostructures.
Autor: Jui-Ju Hsiao, a další
Vydáno: (2019-01-01)

Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
Autor: Jing Yang, a další
Vydáno: (2017-01-01)

Observation of self-assembled InGaN/GaN superlattice structure grown on N-polar GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autor: K. Khan, a další
Vydáno: (2021-12-01)

Chemically Sensitive Photoluminescence of InGaN/GaN Nanowire Heterostructure Arrays
Autor: Konrad Maier, a další
Vydáno: (2019-06-01)

Evidence for impact ionisation in AlGaN/GaN HEMTs with InGaN back-barrier
Autor: Palacios, Tomas, a další
Vydáno: (2012)

Super-Nernstian potentiometric response of InN/InGaN quantum dots by fractional electron transfer
Autor: Rongli Deng, a další
Vydáno: (2024-08-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2004)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
Autor: Watson-Parris, D, a další
Vydáno: (2011)

Characteristics of GaN/InGaN Double-Heterostructure Photovoltaic Cells
Autor: Ming-Hsien Wu, a další
Vydáno: (2012-01-01)

Carrier Dynamics in InGaN/GaN on the Basis of Different In Concentrations
Autor: Zhi Ting Ye, a další
Vydáno: (2019-06-01)

InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination
Autor: Zhang, Zi-Hui, a další
Vydáno: (2015)

Regular red-green-blue InGaN quantum wells with In content up to 40% grown on InGaN nanopyramids
Autor: Amélie Dussaigne, a další
Vydáno: (2024-12-01)

Impact of barrier width on topological insulator phase in InN/InGaN quantum wells with moderate strain
Autor: S. P. Łepkowski
Vydáno: (2025-02-01)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2006)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
Autor: Zhang, Zi-Hui, a další
Vydáno: (2014)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2008)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
Autor: Zhang, Zi-Hui, a další
Vydáno: (2015)

Oscillations in Absorption from InGaN/GaN Quantum Well to Continuum
Autor: Marta Gładysiewicz-Kudrawiec, a další
Vydáno: (2025-01-01)

Effect of Scattering Angle in Electron Transport of AlGaN and InGaN
Autor: T. Vijetha, a další
Vydáno: (2022-01-01)

Gain characteristics of InGaN quantum wells with AlGaInN barriers
Autor: Hanlin Fu, a další
Vydáno: (2019-04-01)

Dynamics of single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2004)