Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

The thermoelectric properties of n-type InGaN alloys with high In-content and InN/InGaN thin film superlattices (SL) grown by molecular beam epitaxy are investigated. Room-temperature measurements of the thermoelectric properties reveal that an increasing Ga-content in ternary InGaN alloys (0 < x...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	James (Zi-Jian) Ju, Bo Sun, Georg Haunschild, Bernhard Loitsch, Benedikt Stoib, Martin S. Brandt, Martin Stutzmann, Yee Kan Koh, Gregor Koblmüller
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	AIP Publishing LLC 2016-04-01
Серія:	AIP Advances
Онлайн доступ:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4948446

Схожі ресурси

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
за авторством: Liwen Cheng, та інші
Опубліковано: (2021-08-01)

Electrocatalytic activity of InN/InGaN quantum dots
за авторством: Hongjie Yin, та інші
Опубліковано: (2019-09-01)

Analysis of InGaN-Delta-InN Quantum Wells on InGaN Substrates for Red Light Emitting Diodes and Lasers
за авторством: Bryan Melanson, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
за авторством: Hideyuki Itakura, та інші
Опубліковано: (2020-02-01)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Zhang, Xueliang, та інші
Опубліковано: (2014)

Enhancement in Indium Incorporation for InGaN Grown on InN Intermediate Layer
за авторством: Hartono, Haryono, та інші
Опубліковано: (2005)

An InN/InGaN Quantum Dot Electrochemical Biosensor for Clinical Diagnosis
за авторством: Saima Zaman, та інші
Опубліковано: (2013-10-01)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epilayers Grown on sapphire
за авторством: Chua, Soo-Jin, та інші
Опубліковано: (2003)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epliayers Grown on Sapphire
за авторством: Song, T.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Bayesian Optimization of Hubbard U’s for Investigating InGaN Superlattices
за авторством: Maxim N. Popov, та інші
Опубліковано: (2021-08-01)

Strain-Induced Band Gap Variation in InGaN/GaN Short Period Superlattices
за авторством: Polyxeni Chatzopoulou, та інші
Опубліковано: (2023-04-01)

Axial InN/InGaN Nanorod Array Heterojunction Photodetector with Ultrafast Speed
за авторством: Jixing Chai, та інші
Опубліковано: (2023-03-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Modeling of the Interminiband Absorption Coefficient in InGaN Quantum Dot Superlattices
за авторством: Giovanni Giannoccaro, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Martin, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Observation of self-assembled InGaN/GaN superlattice structure grown on N-polar GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
за авторством: K. Khan, та інші
Опубліковано: (2021-12-01)

Chemically Sensitive Photoluminescence of InGaN/GaN Nanowire Heterostructure Arrays
за авторством: Konrad Maier, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

Evidence for impact ionisation in AlGaN/GaN HEMTs with InGaN back-barrier
за авторством: Palacios, Tomas, та інші
Опубліковано: (2012)

Super-Nernstian potentiometric response of InN/InGaN quantum dots by fractional electron transfer
за авторством: Rongli Deng, та інші
Опубліковано: (2024-08-01)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2004)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
за авторством: Watson-Parris, D, та інші
Опубліковано: (2011)

Characteristics of GaN/InGaN Double-Heterostructure Photovoltaic Cells
за авторством: Ming-Hsien Wu, та інші
Опубліковано: (2012-01-01)

InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2015)

Regular red-green-blue InGaN quantum wells with In content up to 40% grown on InGaN nanopyramids
за авторством: Amélie Dussaigne, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Impact of barrier width on topological insulator phase in InN/InGaN quantum wells with moderate strain
за авторством: S. P. Łepkowski
Опубліковано: (2025-02-01)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2006)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2008)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2007)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2015)

Oscillations in Absorption from InGaN/GaN Quantum Well to Continuum
за авторством: Marta Gładysiewicz-Kudrawiec, та інші
Опубліковано: (2025-01-01)

Effect of Scattering Angle in Electron Transport of AlGaN and InGaN
за авторством: T. Vijetha, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Gain characteristics of InGaN quantum wells with AlGaInN barriers
за авторством: Hanlin Fu, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

Dynamics of single InGaN quantum dots
за авторством: Taylor, R, та інші
Опубліковано: (2004)

Electromagnetic Nanocoils Based on InGaN Nanorings
за авторством: Ziwen Yan, та інші
Опубліковано: (2025-02-01)

InGaN quantum dots for micro-LEDs
за авторством: Lai Wang, та інші
Опубліковано: (2024-10-01)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2005)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
за авторством: Haruka Matsuura, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

Quantum Spin Hall Effect in Two-Monolayer-Thick InN/InGaN Coupled Multiple Quantum Wells
за авторством: Sławomir P. Łepkowski
Опубліковано: (2023-07-01)

Performance Improvement of InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes via Ultrathin InN Insertion Layer
за авторством: Qianxi Zhou, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)